重結晶碳化硅是由碳原子和硅原子所組成的，利用了離子注入摻雜技術將碳原子注入到單晶硅內(或者也可以稱為滲碳)，便可以獲得優良的立方晶體結構的重結晶。隨著摻雜濃度的差別，所獲得的晶體結構也就不同，可以表示為p—SiC，p表示的就是不同形態的晶體結構。 用離子注入法可以獲得的SiC材料，自身的物理、化學及電學性能都很良好，而且具有高強度、大硬度、殘余應力低、化學惰性極強、較寬的禁帶寬度(基本是硅的2倍)，高的熱導率(基本是硅的3倍)，以及比較高的壓阻系數。因此，重結晶材料具有在高溫下耐腐蝕、抗輻射和穩定的電學性質，非常適合在這些特殊環境下工作的微納級系統所選擇使用。